可檢測基體

鐵基、銅基、鋁基、鎳基、鈷基、鎂基、鈦基、鋅基、鉛基、錫基、銀基。

光學系統(tǒng)

帕型-龍格 羅蘭圓全譜真空型光學系統(tǒng)

波長范圍

140~680nm

光柵焦距

401mm

探 測 器

CMOS陣列/CCD陣列

光源類型

數(shù)字光源，高能預燃技術（HEPS）

放電頻率

100-1000Hz

放電電流

大500A

工作電源

AC220V 50/60Hz 1200W

儀器尺寸

780*565*360mm

儀器重量

約80kg

檢測時間

依據(jù)樣品類型而定，一般20S左右

電極類型

鎢材噴射電極

分析間隙

4mm

其他功能

真空，溫度，軟件自動控 壓力，通訊監(jiān)測

采用的CMOS元件可測定非金屬元素如C、P、S、As、B、N以及金屬元素含量；

測定結果，重復性及長期穩(wěn)定性。

自動光路校準

自動光路校準，光學系統(tǒng)自動進行譜線掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作；

儀器自動識別特定譜線與原存儲線進行對比，確定漂移位置，找出分析線當前的像素位置進行測定。

插拔式透鏡設計

真空光學系統(tǒng)采用的入射窗與真空隔離，可在真空系統(tǒng)工作狀態(tài)下進行操作，光學透鏡采用插拔式透鏡結構，日常清洗維護方便快捷。

真空室一體化

的光室結構設計，使真空室容積更小，抽真空時間僅普通光譜儀的1/2；

真空室一體化設計及的加工，使真空保持的更加持久。

真空防返油技術

多級隔離的真空防返油技術，采用真空壓差閥門保證真空泵不工作時真空光室與真空隔離

中間增加了真空濾油裝置，確保真空泵中油不進入真空室，保障CMOS檢測器及光學元件在可靠環(huán)境中工作。

開放式激發(fā)臺

開放式激發(fā)臺機靈活的樣品夾設計，以滿足客戶現(xiàn)場的形狀大小的樣品分析；

配合使用小樣品夾具，線材低分析可達到3mm。

噴射電極技術

采用噴射電極技術，使用鎢材料電極，在激發(fā)狀態(tài)下，電極周圍會形成氬氣噴射氣流，這樣在激發(fā)過程中激發(fā)點周圍不會與外界空氣接觸，提高激發(fā)精度

配上氬氣氣路設計，大大降低了氬氣使用量，也降低客戶使用成本。

集成氣路模塊

氣路系統(tǒng)采用氣路模塊免維護設計，替代電磁閥和流量計，電極自吹掃功能，為激發(fā)創(chuàng)造了良好的環(huán)境。

數(shù)字化激發(fā)光源

數(shù)字激發(fā)光源，采用的等離子激發(fā)光源，超穩(wěn)定能量釋放在氬氣環(huán)境中激發(fā)樣品；

全數(shù)字激發(fā)脈沖，確保激發(fā)樣品等離子體分辨率和高穩(wěn)定率輸出；

可任意調節(jié)光源的各項參數(shù)，滿足不同材料的激發(fā)要求。

高速數(shù)據(jù)采集

儀器采用CMOS檢測元件，具有每塊CMOS單獨速數(shù)據(jù)采集分析功能，并能自動實時監(jiān)測控制光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊的運行狀態(tài)。

以太數(shù)據(jù)傳輸

計算機和光譜儀之間使用以太網(wǎng)卡和TCP/IP協(xié)議，避免電磁干擾，光纖老化的弊端，同時計算機和打印機外置，方便升級和更換；

可以遠程監(jiān)控儀器狀態(tài)，多通路操控系統(tǒng)控制和監(jiān)控所有的儀器參數(shù)。

預制工作曲線

備有不同材質和牌號的標樣庫，儀器出廠時工廠預制工作曲線，方便安裝調試和及時投入生產(chǎn)；

根據(jù)元素和材質對應的分析程序而稍有差異，激發(fā)和測試參數(shù)儀器出廠時已經(jīng)調節(jié)好，根據(jù)分析程序可自動選擇測試條件；

技術規(guī)格中附有分析范圍（并可根據(jù)用戶提供標樣免費繪制或延長工作曲線）。

分析速度快

分析速度快，僅需20秒即可完成一次分析；

針對不同的分析材料，通過設置預燃時間及測量時間，使儀器用短時間達到的分析效果。

多基體分析

光路設計采用羅蘭圓結構，檢測器上下交替排列，保證接收全部的譜線，不增加硬件設施，即可實現(xiàn)多基體分析；

便于根據(jù)生產(chǎn)的需要增加基體及材料種類和分析元素（無硬件成本）。

軟件中英文系統(tǒng)

儀器操作軟件兼容于Windows7/8/10系統(tǒng)；

軟件操作簡單，即使沒有任何光譜儀知識及操作經(jīng)驗的人員只需經(jīng)過簡單的知識培訓即可上手使用。